A toda la Comunidad Universitaria y Público en General se les extiende una cordial invitación para asistir este 19 de febrero de 2020
al Seminario Rosalind Franklin del Departamento de Ciencias de la Tierra y de la Vida a la
Conferencia titulada:
Impurificación de GaN en fase cúbica para el desarrollo de dispositivos electrónicos
Presenta: Dr. Héctor Pérez Ladrón de Guevara
Lugar: Auditorio Dr. Horacio Padilla
Horario: 12:00 hrs.
Centro Universitario de los Lagos
RESUMEN
El GaN es un material ampliamente utilizado en la electrónica moderna, una de las características que lo hace tan importante es que al alearse con el indio (InGaN) se puede modular la emisión y absorción de esta aleación desde el UV hasta el visible, lo cual lo hace ideal para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos. Es necesario encontrar las condiciones ideales para poder dopar el GaN durante su síntesis y así obtener un semiconductor tipo P o N con las concentraciones de portadores requeridas para poder desarrollar dispositivos de una alta eficiencia. En este trabajo se muestra la forma de sintetizar las aleaciones de GaN e InGaN utilizando un sistema de crecimiento de GS-MBE así como el proceso de dopaje utilizando Mg y Si.